Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 49
    Intorno -69% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.6 left arrow 10.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.9 left arrow 8.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 12800
    Intorno 1.83 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    49 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.2 left arrow 15.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 12.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2465 left arrow 3093
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti