RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3093
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link