RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
57
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.2
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
57
Velocità di lettura, GB/s
10.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2233
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link