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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
57
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
57
读取速度,GB/s
10.2
9.3
写入速度,GB/s
8.1
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2233
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
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