RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
49
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
33
Velocità di lettura, GB/s
10.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3082
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link