RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
38
Intorno -58% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
24
Velocità di lettura, GB/s
15.5
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2333
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link