RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2333
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link