RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
52
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
45
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2190
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link