RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
52
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
45
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
2190
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link