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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
52
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
31
Velocità di lettura, GB/s
9.8
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
3341
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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