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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
9.8
19.2
写入速度,GB/s
8.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3341
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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