RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
52
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
38
Velocità di lettura, GB/s
9.8
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2690
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link