RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
46
Intorno -21% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
38
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2690
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link