RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
12.9
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2690
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link