RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
74
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
5.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
11.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
74
Velocità di lettura, GB/s
11.2
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
1344
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link