RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
11.2
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3714
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link