RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
44
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
33
Velocità di lettura, GB/s
11.2
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2851
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Segnala un bug
×
Bug description
Source link