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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
11.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2384
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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