RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
11.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3111
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link