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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
73
Intorno 40% latenza inferiore
Motivi da considerare
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
73
Velocità di lettura, GB/s
11.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
1712
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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