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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
44
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
28
Velocità di lettura, GB/s
11.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3080
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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