RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
44
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
27
Velocità di lettura, GB/s
11.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2902
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link