RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
44
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
30
Velocità di lettura, GB/s
11.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3728
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link