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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Jinyu 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Jinyu 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Motivi da considerare
Jinyu 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
44
Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
21
Velocità di lettura, GB/s
11.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3209
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Jinyu 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
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