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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9965662-008.A01G 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB

Kingston 9965662-008.A01G 16GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.2 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 7.6
    Valore medio nei test
Kingston 9965662-008.A01G 16GB Motivi da considerare
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    33 left arrow 44
    Intorno -33% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    44 left arrow 33
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.2 left arrow 9.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 7.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2293 left arrow 2291

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Kingston 9965662-008.A01G 16GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
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Memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
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Memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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