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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
44
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
30
Velocità di lettura, GB/s
11.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3575
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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