RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
11.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3297
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link