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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Motivi da considerare
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
44
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
32
Velocità di lettura, GB/s
11.2
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2958
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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