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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
11.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3076
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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