RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
44
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
40
Velocità di lettura, GB/s
11.2
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2411
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link