RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
49
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
31
Velocità di lettura, GB/s
10.1
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3126
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link