RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3126
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link