RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
49
Intorno -172% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
18
Velocità di lettura, GB/s
10.1
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
3507
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link