RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
49
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
18
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3507
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F3-10666CL7-4GBXH 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link