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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
49
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.5
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
49
48
Velocità di lettura, GB/s
10.1
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
2099
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
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