RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Confronto
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
47
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
29
Velocità di lettura, GB/s
10.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2169
2711
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link