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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
41
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
24
Velocità di lettura, GB/s
13.3
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2394
4069
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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