RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
19.0
Скорость записи, Гб/сек
8.8
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2394
4069
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link