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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
55
Intorno -129% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
55
24
Velocità di lettura, GB/s
9.4
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2424
2969
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
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