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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
比较
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
总分
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
55
左右 -129% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
24
读取速度,GB/s
9.4
16.6
写入速度,GB/s
7.8
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2424
2969
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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