RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
29
Velocità di lettura, GB/s
8.0
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2601
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link