Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    33 left arrow 45
    Intorno 27% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    8 left arrow 6.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.3 left arrow 6.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    33 left arrow 45
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.0 left arrow 6.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.3 left arrow 6.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1911 left arrow 1499
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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