RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
45
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
45
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
6.9
Скорость записи, Гб/сек
7.3
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
1499
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link