RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
84
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
84
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
1574
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link