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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
34
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
34
Velocità di lettura, GB/s
8.0
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2201
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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