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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2201
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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