RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
35
Velocità di lettura, GB/s
8.0
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2631
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.C8FE 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link