RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
38
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
21
Velocità di lettura, GB/s
15.5
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3427
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link