RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
38
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
21
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3427
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link