RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
38
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3427
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link